磁记录介质,磁记录介质的制造方法,以及磁记录装置

摘要

本发明的磁记录介质包括，在基板1上依次有MgO层2、第1控制层3、第2控制层4、磁性层5及保护层6。MgO层是采用ECR溅射法形成的，该层是六方晶系，在一定方位结晶定向。在MgO层上，采用与磁性层的晶格常数之差为5％以下的材料及组成，在MgO层上形成2层或以上的金属控制层。由于这些控制层的存在，反映MgO层结构的磁性层进行良好的外延生长，在磁性层中可以实现适于高密度记录的Co(11.0)。因此，提供一种可超过40Gbit/英寸²的超高密度记录的磁性记录介质。

主权项

1.一种磁记录介质，其中包括：基板和；用于记录信息的磁性层和；位于上述基板和上述磁性层之间的结晶质基层；上述基层是通过共振吸收而产生等离子体，使产生的等离子体冲撞靶子，溅射出靶粒子，通过在上述基板和上述靶子之间施加偏电压，把溅射出的靶粒子一边诱导至上述基板上一边使其堆集而形成。