| 主权项 |
1、一种制作半导体器件的方法，其特征在于，它包括以下步骤：在一个半导体基片上形成一个栅绝缘膜，在所述栅绝缘膜上形成一个第一栅极组份材料膜；在所述第一栅极组份材料膜上形成第一薄膜，有选择地去除第一薄膜上将要在那里形成一个栅电极的一部分，从而在第一薄膜上形成一个开口部分；在第一栅电极组份材料膜上第一薄膜的开口部分的内侧表面的周围形成一个第二薄膜，并将第一栅电极组份材料膜位于第二二薄膜之内的部分暴露出来；利用第一薄膜和第二薄膜作为掩膜，掺沟道区域杂质于半导体基片之中，形成沟道区；在第一栅电极组份材料膜的位于第二薄膜之内的部分上形成第二栅电极组份材料膜；利用第一薄膜和第二栅电极组份材料膜作为掩膜，去除第二薄膜，在第一薄膜与第二栅极组份材料膜之间形成一个槽，并将第一栅极组份材料膜相应于槽的部分暴露出来；通过槽掺杂质于半导体基片中，形成一个低浓度杂质扩散层；将导电类型与低浓度杂质扩散层相反的杂质掺于半导体基片上低浓度杂质扩散层的下方；在形成槽之后去除第一薄膜的残余，并去除第一栅极组份材料膜位于第二栅极组份材料膜之下的部分以外的部分；形成由绝缘膜组成的一个侧壁，以覆盖第二栅极组份材料膜、覆盖第一栅极组份材料膜残留在第二栅极组份材料膜之下的部分；以及利用第一栅极组份材料膜的残余部分、第二栅极组份材料膜和所述侧壁作为掩膜，将高浓度杂质掺于半导体基片中以形成源极和漏极，其中所述形成由绝缘膜组成的侧壁，以覆盖第二栅极组份材料膜、覆盖第一栅极组份膜残留在第二栅极组份材料膜之下的部分的步骤是通过在暴露的表面上形成一个绝缘薄膜材料层，对绝缘薄膜材料层进行深刻蚀，只在相应于槽的位置留有所述绝缘薄膜完成的，和所述在暴露表面上形成绝缘薄膜材料层的步骤是在所述形成槽之后去除残留的第一薄膜的步骤之前进行的，也是在所述去除第一栅极组份材料膜位于第二栅极组份材料膜之下的部分以外的部分的步骤之前进行的。 |
