发明名称 半导体器件的制造方法
摘要 本发明涉及一种半导体器件的制造方法,用于防止树脂与半导体芯片的分离。该制造方法包括:切割具有形成在晶片表面的有源电路的一块晶片并形成半导体芯片;在所述半导体芯片上安装一组引线端;以及清洗有源电路反面的所述半导体芯片的表面。然后用密封材料封闭半导体芯片。因此防止了半导体芯片与树脂的分离。
申请公布号 CN1101060C 申请公布日期 2003.02.05
申请号 CN98102290.1 申请日期 1998.06.19
申请人 日本电气株式会社 发明人 滝泽朋子
分类号 H01L21/48 主分类号 H01L21/48
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 刘晓峰
主权项 1.一种半导体器件的制造方法,包括以下步骤:(a)切割具有形成在晶片表面的有源电路的一块晶片,并形成半导体芯片;(b)在所述半导体芯片上安装一组引线端,所述的引线端为引线框架的形式;其特征在于:(c)在所述引线框架安装之前清洗所述引线框架;(d)安装之后清洗有源电路相对的所述半导体芯片的另一面;以及(e)用密封材料封闭所述半导体芯片。
地址 日本国东京都