发明名称 Reflective projection lens for EUV photolithography
摘要 <p>Ein Projektionsobjektiv zur Abbildung eines in einer Objektebene angeordneten Musters in eine Bildebene mit Hilfe von elektromagnetischer Strahlung aus dem extremen Ultraviolettbereich (EUV) hat zwischen Objektebene und Bildebene mehrere mit Reflexbeschichtungen versehene, abbildende Spiegel, die eine optische Achse des Projektionsobjektiv definieren. Mindestens einer der Spiegel hat eine gradierte Reflexbeschichtung mit einem zu einer Beschichtungsachse rotationssymmetrischen Schichtdickenverlauf, wobei die Beschichtungsachse exzentrisch zur optischen Achse des Projektionsobjektiv angeordnet ist. Die Bereitstellung mindestens einer dezentrierten, gradierten Reflexbeschichtung ermöglicht die Konstruktion von Projektionsobjektiven, die bei hoher Gesamttransmission eine gute Gleichmäßigkeit der Feldausleuchtung erlauben. &lt;IMAGE&gt;</p>
申请公布号 EP1282011(A2) 申请公布日期 2003.02.05
申请号 EP20020016693 申请日期 2002.07.26
申请人 CARL ZEISS SMT AG 发明人 MANN, HANS-JUERGEN;ULRICH, WILHELM;HUDYMA, RUSSEL M.
分类号 G02B17/00;G02B17/06;G02B27/18;G03F7/20;H01L21/027;(IPC1-7):G03F7/20 主分类号 G02B17/00
代理机构 代理人
主权项
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