| 主权项 |
1.一种形成电极之方法,包含:形成一通过第一介电质层之导电填充栓,该填充栓自第一介电质层的上表面延伸到在半导体基板中之接触区;在导电填充栓的上表面之上,形成一位障接点;在只有填充栓的上表面部分之上,形成电极,而位障接点的上表面之其他部分则未被电极覆盖;在第一介电质层之上,在形成电极的侧部和上部之上,及在位障接点的未被覆盖部分之上,沈积一第二介电质层;在位在电极下侧之上之第二介电质层的部分之上;在位在第一介电质层之上之第二介电质层的部分之上;及,在位在位障接点的该暴露部分之上之第二介电质层的部分之上,提供一牺牲材料,但暴露位在形成电极的上部和上侧部之上之第二介电质层的部分;及移除第二介电质层的暴露部分,但留下:位在电极下侧之上之第二介电质层的部分;位在第一介电质层之上之第二介电质层的部分;及位在位障接点的该暴露部分之上之第二介电质层的部分。2.一种形成储存组件之方法,包含:形成一通过第一介电质层之导电填充栓,该填充栓自第一介电质层的上表面延伸到半导体基板中之接触区;在导电填充栓的上表面之上,形成一位障接点;在只有填充栓的上表面部分之上,形成用于储存组件之第一电极,而位障接点的上表面之其他部分则未被第一电极覆盖;在第一介电质层之上,在形成第一电极的侧部和上部之上,及在位障接点的未被覆盖部分之上,沈积一第二介电质层;在位在电极下侧之上之第二介电质层的部分之上;在位在第一介电质层之上之第二介电质层的部分之上;及,在位在位障接点的该暴露部分之上之第二介电质层的部分之上,提供一牺牲材料,但暴露位在形成第一电极的上部和上侧部之上之第二介电质层的部分;及移除第二介电质层的暴露部分,但留下:位在第一电极下侧之上之第二介电质层的部分;位在第一介电质层之上之第二介电质层的部分;及位在位障接点的该暴露部分之上之第二介电质层的部分;在氧化环境中,在第一电极的暴露部分之上和在第二介电质层的剩余部分之上,沈积一材料;在该材料之上形成一用于储存组件之第二电极。3.一种形成电极之方法,包含:形成一通过第一介电质层之导电填充栓,该填充栓自第一介电质层的上表面延伸到在半导体基板中之接触区;以微影制程形成电极,在微影制程中,遮罩对齐的对准误差会造成位障接点的表面暴露之结果;在第一介电质层之上,在形成电极的侧部和上部之上,及在位障接点的暴露部分之上,沈积一第二介电质层;在位在电极下侧之上之第二介电质层的部分之上。在位在第一介电质层之上之第二介电质层的部分之上,及位在位障接点的该暴露部分之上之第二介电质层的部分之上,提供一牺牲材料,但暴露位在形成电极的上部和上侧部之上之第二介电质层的部分;及移除第二介电质层的暴露部分,但留下位在电极下侧之上之第二介电质层的部分,位在第一介电质层之上之第二介电质层的部分,及位在位障接点的该暴露部分之上之第二介电质层的部分。4.一种形成电极之方法,包含:提供一半导体基板;在基板之表面上形成第一介电质层;在第一介电质层之上提供一遮罩,该遮罩在基板表面的选择部分之上具有一窗口,以暴露第一介电质层位在其下之部分;选择性移除位在其下之介电质层的部分,以形成一通过该第一介电质层之通路,此通路会暴露位在其下之基板表面的部分;移除遮罩,以暴露第一介电质层和形成在其中之通路;沈积一导电材料在暴露的第一介电质层之上,且通过通路映在基板的暴露部分之上;移除导电材料的上部,使该材料的上表面形成与第一介电质层的表面共平面,该部分之导电材料从第一介电质层的表面通过通路后到达基板的该暴露部分,以提供通过第一介电质层之导电填充栓;挖掘导电填充栓的上部,以提供一沟槽,此沟槽具有提供给沟槽侧壁之介电质层的部份,和具有提供给沟槽底部之导电填充栓的上表面;在第一介电质层之上形成一位障导电层,其中部分的位障导电层系位在沟槽之中;移除位障导电层的上部,以在沟槽中形成位障导电接点,此接点自导电填充栓延伸,而终结在介电质层的平面;在第一介电质层之上和在位障导电接点之上,沈积一电极层;在电极层之上形成一遮罩,此遮罩名义上对齐位障导电接点;移除电极层未被遮蔽的部分,而留下在遮罩之下之电极层的部分,以提供电极,遮罩对齐的对准误差会造成位障导电接点的移转暴露部分;移除遮罩;在第一介电质层之上和在形成电极的侧部和上部之上,及在位障导电接点的任何暴露部分之上,沈积一第二介电质层;在第二介电质层之上,沈积一牺牲材料,此牺牲材料延伸在形成电极的上部之上;移除牺牲材料的上部,以暴露位在形成电极的该上部之上和形成电极的该侧面上部之上之第二介电质层的部分,而留下在位在电极下侧之上之第二介电质层的部分之上,在位在第一介电质层上之第二介电质层的部分之上,和在位在任何位障导电接点的该暴露部分之上之任何第二介电质层的部分之上之下部牺牲材料;及移除第二介电质层的暴露部分,而留下位在电极下侧之上之第二介电质层的部分,位在第一介电质层之上之第二介电质层的部分,和位在任何位障导电接点的该暴露部分之上之任何第二介电质层的部分。5.一种储存组件,包含:第一介电质层;贯穿通过第一介电质层之导电填充栓,导电层的底部与部分的半导体基板接触;位在导电填充栓之上且位在沟槽之中之位障接点,其中沟槽具有部分的第一介电质当作此沟槽的侧壁;只有位在部分的位障接点之上的用于储存组件之电极;及位在位障接点的其他部分之上和位在电极的下侧壁部分之上之第二介电质层,而电极的上侧壁部分和上部则没有被第二介电质层覆盖。图式简单说明:第1到14图为储存组件在各种不同的制造阶段之横截面图。 |
