| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:一写入线,在应用上电流上时产生一磁场,其中:该写入线于该沟槽内延伸并且进而包括一导体写入线材料和一磁性覆盖材料,其中该磁性覆盖材料沿着边墙和该导体写入线材料之一顶端表面,至少部分地环绕在该导体写入线材料旁,其中覆盖在该顶端表面上的部分该磁性覆盖材料对于该沟槽顶端充分地凹入。2.如申请专利范围第1项的半导体装置,进而包含一磁性记忆体元件在该沟槽之下。3.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中至少90%的磁性覆盖材料对于该沟槽顶端来凹入。4.一种半导体装置,包含:一放置在一数位线和一位元线之间的磁性记忆体元件,其中:该数位线以一第一方向来延伸;及该位元线于一沟槽内以正交于该第一方向之一第二方向来延伸并且进而包含一导体位元线材料和一磁性覆盖材料,其中该磁性覆盖材料沿着边墙和该导体位元线材料之一顶端表面,至少部分地环绕在该导体位元线材料旁,其中覆盖在该顶端表面上的部分该磁性覆盖材料对于该沟槽顶端充分地凹入。5.一种半导体装置,包含:一电介质层;一位于该电介质层内之沟槽开孔;一位于该沟槽开孔内之帽磁性覆盖材料,其沿着沟槽开口之边墙布置;一位于该沟槽开孔内之导体材料至少部份由边墙帽磁性材料所围绕;以及一位于该沟槽开孔内之帽磁性覆盖材料,其中该帽磁性覆盖材料的部分对于该电介质层的顶端表面充分地凹入。6.如申请专利范围第5项的半导体装置,其中该帽磁性覆盖材料的顶端表面和该电介质层的顶端表面彼此是同一平面的。7.如申请专利范围第5项的半导体装置,进而包含一阻障材料以至少部分地环绕于该导体材料旁。8.如申请专利范围第5项的半导体装置,其中该半导体装置结构进而被特征化成一磁致阻抗随机存取记忆体位元线。9.如申请专利范围第5项的半导体装置,进而包含一第二阻障材料于该电介质层和该边墙磁性覆盖材料之间。10.一种形成一半导体装置的方法,包含:形成磁性记忆体元件覆盖于一半导体装置基板之上;形成一电介质层覆盖于磁性记忆体元件之上;形成一沟槽开孔于该电介质层之内;形成磁性覆盖边墙间隔于该沟槽邻近的边墙;形成一导体材料于该沟槽之内;形成一磁性覆盖帽于该沟槽之内并且覆盖在该导体位元线材料之上;其中该磁性覆盖帽的部分对于该电介质层的顶端表面充分地凹入,并且其中于该沟槽内之导体位元线材料的组合,该磁性覆盖边墙间隔和该磁性覆盖帽形成一覆盖位元线。图式简单说明:图1包括一横切面图以例示先前技艺MTJ MRAM阵列之一部份。图2包括一横切面图以例示先前技艺MRAM写入线结构;图3-6包括显示MRAM阵列部分的制造之横切侧视例图;和图7-14包括显示由图6中所示MRAM阵列中记忆体晶格所使用位元线结构形成的本发明具体实施例之横切例图;和图15包括显示GMR MRAM阵列部分之横切例图。 |
