| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体装置,其包括:一第一字线;相对应于第一字线之复数个第二字线;相对应于分别的第二字线之复数个平板线;复数个耦合至分别的第二字线之记忆体单元,其中每个记忆体单元具有用以转移电子电荷之电晶体和一铁电;电容器;以及一耦合至平板线之平板线驱动电路,用以当第一字线被选择时,传送平板线驱动讯号至平板线且当第一字线未被选择时,连接该平板线至第一字线。2.如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体装置,其中该平板线驱动电路包括:一第一交换元件,其用以在回应在第一字线上之讯号之同时,传送平板线驱动讯号至平板线;以及一第二交换元件,其用以当平板线驱动讯号启动时,电气地连接平板线和第一字线。3.如申请专利范围第2项之非挥发性记忆体装置,其中该第一和第二交换元件分别地由电晶体构成。4.如申请专利范围第3项之非挥发性记忆体装置,其中每个电晶体系为一N-型MOS电晶体。5.如申请专利范围第3项之非挥发性记忆体装置,尚包括一第三交换元件耦合在第一交换元件和第一字线之控制电极之间,其中该第三交换元件由电晶体组成,当第一字线被选择时,该电晶体被关上以提高控制电极的电压准位。6.如申请专利范围第5项之非挥发性记忆体装置,其中该电晶体系为一N-型MOS电晶体。7.如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体装置,尚包括复数个预先充电电晶体用以接地对应之平板线,其中该预先充电电晶体共同地由一预先充电致能讯号控制。图式简单说明:图1系为用以说明由1-电晶体/1-电容器所组成的记忆体单元之电路图;图2系为用以说明铁电电容器之磁滞现象特性之图;图3系为用以说明根据本发明之铁电随机存取记忆体单元阵列之电路图;以及图4系为用以说明显示在图3之记忆体单元阵列之控制讯号之时序之时序图。 |
