发明名称 非挥发性记忆装置之列解码器
摘要 本发明提供一种在半导体记忆装置中选择一字元线之解码器电路,该半导体记忆装置包含许多记忆单元区段,该等记忆单元区段包含许多字元线和位元线以及许多记忆单元,该等记忆单元中的每一个皆可予以电气清除且可程式规划的。此等解码器电路包含连接至总体字元线之拉升电晶体及拉降电晶体,其乃经由连接装置予以连接,在根据一运作模式将一高电压供给至总体字元线中所选定的一条之前开启位降电晶体并将拉升电晶体之闸极预充电至高电压。本发明使用自动推进方法致能此等解码器电路将字元线驱动电压供给至连接至记忆单元的总体字元线从而减少推进负载。
申请公布号 TW519650 申请公布日期 2003.02.01
申请号 TW090111294 申请日期 2001.05.11
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 郑晖泽;李昇根;李瀛湖
分类号 G11C16/00 主分类号 G11C16/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种半导体记忆装置,其具有可予以电气清除及可程式规划的记忆单元,包含:许多记忆单元区段,每一个记忆单元区段皆具有许多字元线和位元线及许多记忆单元;许多总体字元线,此等总体字元线乃经由连接装置电气连接至此等字元线;区段选择电路,此等区段选择电路乃用于控制连接装置以选择记忆单元区段;驱动器电路,此等驱动器电路乃用于依据一运作模式经由其内的拉升电晶体选择性地将一电压供给至总体字元线;一部分列解码器,此部分列解码器乃用于根据运作模式选择性地致能电压供给至此等驱动器电路;以及预充电电路,此等预充电电路乃用于使此等驱动器电路中拉升电晶体的闸极在电压依据运作模式供给至总体字元线以呼应一预定选择信号之前处于一预定电位。2.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该拉升电晶体乃一用于高电压的N型金氧半电晶体。3.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该等驱动器电路中的每一个皆进一步包含一介于该总体字元线与一接地之间的拉降电晶体。4.如申请专利范围第3项之半导体记忆装置,其中该等预充电电路中的每一个皆包含一电路,该电路在电压根据运作模式供入总体字元线之前开启拉降电晶体。5.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该连接装置乃一空乏型电晶体。6.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该等预充电电路具有一位于第一高电压之电源供给,该电源供给于一读取运作模式时乃位于第二高电压且于一可程式规划运作模式时乃位于第三高电压。7.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该等第一、第二和第三高电压皆具有一高于半导体记忆装置电源供给电压之电位,且一用于产生该第一高电压的电路乃与一用于产生该第二高电压的电路呈电气绝缘。8.一种半导体记忆装置,其具有可予以电气清除及可程式规划的记忆单元,包含:许多记忆单元区段,每一个记忆单元区段皆具有许多字元线和位元线及许多记忆单元;许多总体字元线,此等总体字元线乃经由连接装置电气连接至此等字元线;区段选择电路,此等区段选择电路乃用于根据一运作模式将一电压供给至连接装置以选择此等记忆单元区段;一部分列解码器,此列解码器乃用于根据运作模式产生部分字元线驱动信号以供给电压;以及总体列解码器,此等总体列解码器在此等拉升电晶体的闸极预充电之后,在依据运作模式将电压供给至总体字元线之前,根据运作模式选择性地将供自部分字元线驱动信号的电压经由拉升电晶体施加于总体字元线。9.如申请专利范围第8项之半导体记忆装置,其中该拉升电晶体乃一用于高电压的N型金氧半电晶体。10.如申请专利范围第8项之半导体记忆装置,其中该连接构件乃一空乏型电晶体。11.如申请专利范围第8项之半导体记忆装置,其中该总体列解码器具有连接于该总体字元线与一接地之间的拉降电晶体,该拉降电晶体乃于根据运作模式将电压供给至总体字元线之前开启。12.如申请专利范围第8项之半导体记忆装置,其中该总体列解码器具有一位于第一高电压之电源之电位,该电源之电位根据一运作模式而于读取运作模式时位于第二高电压且于一可程式规划的运作时位于第三高电压。13.如申请专利范围第12项之半导体记忆装置,其中该等第一、第二和第三高电压皆具有一高于半导体记忆装置电源电压的电位,且一用于产生该第一高电压的电路乃与一用于产生该第二高电压之电路呈电气绝缘。14.一种包含许多字元线和位元线及许多记忆单元之半导体记忆装置,此等记忆单元乃可予以电气清除及可程式规划的,一用于选择此等字元线的电路包含:总体字元线,此等总体字元线乃经由连接装置连接至此等字元线;以及总体列解码器,此总体列解码器具有连接至此等总体字元线的拉升及拉降电晶体,且在一电压依据一运作模式供给至选自此等总体字元线之总体字元线之前开启此等拉降电晶体并预充电此等拉升电晶体的闸极。15.如申请专利范围第14项之半导体记忆装置,其中该总体列解码器使用一第一高电压为一电源,一电压依据运作模式于一读取运作模式时位于第二高电压且于一可程式规划运作模式时位于第三高电压。16.如申请专利范围第15项之半导体记忆装置,其中该等第一、第二和第三高电压皆具有一高于半导体记忆装置电源电压之电位且一用于产生该第一高电压的电路乃与一用于产生该第二高电压的电路呈电气绝缘。图式简单说明:图1表示一电路,其乃描述在快闪记忆装置中一用于驱动字元线的先前技艺架构(图1=图1A+图1B)。图2乃一电路图,其乃描述图1中总体列解码器和字元线驱动器之间的连接关系。图3乃图1所示之本地列解码器之电路图。图4表示一电路,其乃用于产生一用于图1之高电压。图5表示一电路,其乃描述一根据本发明具体实施例用于驱动此等字元线之架构。图6表示一电路,其乃描述图5中总体列解码区块和字元线驱动器之间的连接关系。图7乃一图5所示之部分列解码器之电路图。图8乃一电路图,其乃描述图1中一区段选择电路之构造。图9乃一电路图,其乃用于产生一用于图1之高电压。图10表示电压波形,此等电压波形描述此等用于图1之信号之间的关系。
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