| 主权项 |
1.一种至少部分暴露位于半导体基板表面上之金属层的方法,其藉由二个蚀刻步骤对已施用于该金属层的一或以上的单层/多数层进行腐蚀移除,该第一蚀刻步骤为乾式蚀刻步骤,该方法之特征在于此暴露系依照一时间顺序,藉着一乾式蚀刻步骤对该单层/多数层之第一部份及藉由一湿式蚀刻对该单层/多数层之第二部分进行。2.如专利申请范围第1项之方法,其中藉由该乾式蚀刻步骤移除之该层之第一部份为80%以上,尤其是该层之90%以上。3.如专利申请范围第1或2项之方法,其中欲暴露之该金属层系用作连结该半导体基板与配线之接合垫。4.如专利申请范围第1或2项之方法,其中该层之第一部份系由第一种材料组成,以及该层之第二部份系由第二种材料所组成,且该第一种材料和该第二种材料不相同。5.如专利申请范围第4项之方法,其中该湿式蚀刻步骤的条件为该层之第二部份受到较该层之第一部份更强力地侵蚀。6.如专利申请范围第1项之方法,其中该湿式蚀刻步骤系选自于浸液蚀刻法、喷雾蚀刻法和旋转蚀刻法所组成的群组中。7.如专利申请范围第6项之方法,其中该湿式蚀刻步骤为旋转蚀刻法,其中半导体基材系以连续方式个别地地处理。8.如专利申请范围第6或7项之方法,其中该蚀刻剂系一水溶液。9.如专利申请范围第8项之方法,其中该蚀刻剂为一氧化剂。10.如专利申请范围第8项之方法,其中该蚀刻剂为一酸溶液。11.如专利申请范围第10项之方法,其中该蚀刻剂含有硝酸和氢氟酸。12.如专利申请范围第11项之方法,其中该HNO3:HF之莫耳比范围为2:1到1000:1。13.如专利申请范围第8项之方法,其中该蚀刻剂为一硷溶液。14.如专利申请范围第13项之方法,其中该蚀刻剂含有氨水或胺类及过氧化氢。15.一种用以薄化晶圆状半导体基材的方法,其中使用如专利申请范围第1至14项中任一项之方法,其中乾式刻蚀步骤于薄化之前完成及湿式蚀刻步骤于薄化之后完成。 |
