发明名称 |
PROCESS CHAMBER WITH A BASE WITH SECTIONALLY DIFFERENT ROTATIONAL DRIVE AND LAYER DEPOSITION METHOD IN SUCH A PROCESS CHAMBER |
摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf in einer Prozesskammer (1) auf drehangetriebenen Substrathaltern (2) aufliegenden Substraten, wobei die Substrathalter (2) um das Zentrum eines drehangetriebenen Substrahalterträgers angeordnet sind, welche Substrathalter (2) gemeinsam mit dem Substrathalterträger (3) einen Prozesskammerboden (4) bilden, dem eine Prozesskammerdecke (5) mit zentralem Gaseinlassorgan (6) gegenüberliegt, durch welches zusammen mit einem Trägergas ein oder mehrere gasförmige Ausgangsstoffe in eine im über einem beheizten Zentralbereich (4') des Prozesskammerbodens (4) angeordnete Zerlegungszone eingeleitet werden, die von einer Diffusionszone (4'') umgeben ist, aus welcher die im radial auswärts strömenden Trägergasstrom transportierten Zerlegungsprodukte zum Substrat gelangen. Um die Versorgung der Substrate mit Zerlegungsprodukten zu vergleichmässigen, schlägt die Erfindung vor, dass der Zentralbereich (4') des Prozesskammerbodens (4) relativ zum Substrathalterträger (3) und zur Prozesskammerdecke (5) bzw. zum Gaseinlassorgan (6) drehangetrieben wird.
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申请公布号 |
WO03008675(A1) |
申请公布日期 |
2003.01.30 |
申请号 |
WO2002EP06294 |
申请日期 |
2002.06.10 |
申请人 |
AIXTRON AG;SCHWAMBERA, MARKUS;FRANKEN, WALTER;STRAUCH, GERD |
发明人 |
SCHWAMBERA, MARKUS;FRANKEN, WALTER;STRAUCH, GERD |
分类号 |
C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;C30B25/02;C30B25/12;C30B25/14;(IPC1-7):C30B25/12 |
主分类号 |
C23C16/44 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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