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发明名称 Transistor von hoher Elektronenbeweglichkeit mit einem InAs/InGaAs Supergitter
摘要
申请公布号 DE69622135(T2) 申请公布日期 2003.01.30
申请号 DE19966022135T 申请日期 1996.12.19
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 NAKAYAMA, TATSUO
分类号 H01L29/205;H01L21/338;H01L29/15;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/778 主分类号 H01L29/205
代理机构 代理人
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