| 发明名称 | 半导体器件的制造工艺 | ||
| 摘要 | 当制造半导体器件时，对半导体衬底进行高能离子注入。随后退火离子注入的半导体衬底，当通过以至少200℃/秒的直线上升速率从1000℃到1,200℃的温度加热衬底进行时，可以提供具有减小变化(σ/X)的较小漏电流的半导体器件。因此本发明提供一种半导体器件的制造工艺，当进行高能离子注入时，具有漏电流较小和漏电流变化减小的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN1100342C | 申请公布日期 | 2003.01.29 |
| 申请号 | CN98119320.X | 申请日期 | 1998.09.11 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 林俊哉;浜田耕治;西尾直治;三好康介;斋藤修一 |
| 分类号 | H01L21/265 | 主分类号 | H01L21/265 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1.半导体器件的制造工艺，包括以下步骤：对半导体衬底进行高能离子注入；以及在等于或高于200℃/秒的直线上升速率下，将所得已离子注入的半导体衬底从1,015℃加热到1,200℃。在1,015℃到1,200℃的温度下对这样的加热的半导体衬底进行退火处理。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||