| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本文涉及在制造半导体元件中的一种选择刻蚀方法，该方法中在同一半导体材料的晶体衬底(1)上沉积该半导体材料的非晶层(6)。在非晶层(6)上沉积至少一层介质层(7)，以防止上述非晶层(6)晶化。优选地借助于PECVD、SACVD、MBE工艺或自旋涂敷工艺沉积介质层(7)。对得到的结构(1)制作布线图案，此后在预定区或区域(9)内刻蚀掉介质层(7)和非晶半导体层(6)。该方法还可构成制造具有自对准基极-发射极结构的双极性晶体管的分步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1100344C | 申请公布日期 | 2003.01.29 |
| 申请号 | CN96198419.8 | 申请日期 | 1996.11.20 |
| 申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | H·诺斯特姆 |
| 分类号 | H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;王其灏 |
| 主权项 | 1、一种在制造半导体元件中的选择刻蚀方法，其特征在于：-在同一半导体材料的单晶体衬底(1)上沉积一层厚度为几百毫微米的半导体材料的非晶形层(6)；-在非晶形层(6)上沉积至少一层介质层(7)，以防止上述非晶形层(6)晶化；-对得到的结构(8)制作布线图案，此后在预定区或区域(9)内刻蚀掉介质层(7)和非晶形半导体层(6)；以及-对得到的结构进行热处理。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||