发明名称 |
引线框和片式半导体封装制造方法 |
摘要 |
制造片式半导体封装的方法包括下列步骤:把引线框牢固地对准设置于晶片上;进行引线键合工艺,用金属线电连接有台阶的每根引线和晶片上多个中心焊盘中相应的一个;进行化合物模制工艺,模制包括金属线和引线在内的区域,但使每根有弯折引线的最上表面外露;在每根引线的外露部分上镀敷导电金属材料;及锯切晶片,形成分立半导体芯片。 |
申请公布号 |
CN1100346C |
申请公布日期 |
2003.01.29 |
申请号 |
CN97100725.X |
申请日期 |
1997.02.26 |
申请人 |
LG半导体株式会社 |
发明人 |
金东俞 |
分类号 |
H01L21/50;H01L21/60;H01L21/98;H01L23/48;H01L23/50 |
主分类号 |
H01L21/50 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
陆弋 |
主权项 |
1.一种制造片式半导体封装的方法,包括下列步骤:把引线框牢固地对准设置于晶片上,其中引线框包括多根分别相应于晶片上芯片划分线的引线支撑条,多根有台阶和弯折的引线从每根支撑条延伸一定距离,其中晶片包括多个中心焊盘型芯片,各芯片被彼此划分开,以便彼此间分离;进行引线键合工艺,用金属线电连接每根引线和相应的一个晶片中心焊盘;进行化合物模制工艺,模制包括金属线和引线在内的区域,同时外露每根引线的最上表面;在每根引线的外露部分上镀敷导电金属材料;及锯切晶片,形成分立半导体芯片。 |
地址 |
韩国忠清北道 |