快速热退火、由其制造的硅晶片以及直拉法拉晶设备

摘要

本发明公开了一种具有受控缺陷分布的硅晶片，其中，具有从晶片表面向内的足够深度的脊区与晶片体区内的高吸除效应结合。硅晶片中，充当内部吸除位置的氧淀析具有垂直分布。从晶片顶面到底面的氧淀析浓度分布包括在距晶片顶面和底面第一和第二预定深度处的第一和第二峰、晶片的顶和底面与第一和第二峰中的每一个之间的脊区，以及第一和第二峰之间的凹陷区，该凹陷区对应晶片体区。为了得到这种氧淀析浓度分布，晶片在包括氨(NH₃)和氩(Ar)的气体混合物气氛中在低于约1200℃的温度经历快速热退火工艺。利用这种快速热退火工艺，晶片器件区内滑移位错可减少，且快速热退火加热室上的二氧化硅也可减少。

主权项

1.一种硅晶片，该硅晶片具有顶面、底面以及其中的顶面与底面之间的氧淀析浓度分布，该氧淀析浓度分布包括：分别在距晶片的顶面和底面第一和第二预定深度处的第一和第二峰；在晶片的顶面和第一峰之间以及晶片的底面和第二峰之间的脊区；第一和第二峰之间的凹陷区；晶片底面和第二峰之间的脊区，在其中包括至少一个滑移位错区；及晶片顶面和第一峰之间的脊区，在其中没有滑移位错。