| 发明名称 | 氮化硅只读存储器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化硅只读存储器的制造方法，首先，在提供的基底上依次形成一第一氧化层与一氮化硅层；之后，图案化氮化硅层与第一氧化层，以形成一开口而暴露出部分基底；接着，进行一氧化过程，以在氮化硅层上形成一第二氧化硅层，并同时在开口所暴露的基底上形成一场氧化层；然后，图案化第二氧化层、氮化硅层与第一氧化层，以形成一氧化层－氮化硅层－氧化层的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1393927A | 申请公布日期 | 2003.01.29 |
| 申请号 | CN01129597.X | 申请日期 | 2001.06.28 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘建宏;潘锡树;黄守伟 |
| 分类号 | H01L21/8246 | 主分类号 | H01L21/8246 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于：该方法至少包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一第一氧化层；在该第一氧化层上形成一氮化硅层；图案化该氮化硅层与该第一氧化层，以形成一开口，该开口暴露出部分该基底；在该氮化硅层上形成一第二氧化层，并同时在该开口所暴露的该基底上形成一场氧化层；图案化该第二氧化层、该氮化硅层与该第一氧化层，以形成一氧化层-氮化硅层-氧化层的结构。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||