| 发明名称 | 金氧半导体晶体管的制造工艺 | ||
| 摘要 | 一种金氧半导体晶体管的制造工艺，是在一基底上依次形成栅极介电层与多晶硅层，再将氮离子植入多晶硅层与栅极介电层接触的区域中。接着，进行回火步骤，以使多晶硅层中的多晶硅晶粒变大，接着图案化多晶硅层，以形成栅极，再将掺质植入栅极两侧的基底中，以形成源极/漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN1393916A | 申请公布日期 | 2003.01.29 |
| 申请号 | CN01129649.6 | 申请日期 | 2001.06.26 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖汉昭;林宏穗;卢道政 |
| 分类号 | H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种金氧半导体晶体管的制造工艺，其特征在于：包括：提供一基底，该基底上已依次形成有一栅极介电层与一多晶硅层；进行一氮离子植入步骤，将氮离子植入该多晶硅层与该栅极介电层接触的区域中；进行一回火步骤以增大该多晶硅层中的晶粒；图案化该多晶硅层以形成一栅极；在该栅极两侧形成一源极/漏极区。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||