金氧半导体晶体管的制造方法

摘要

一种金氧半导体晶体管的制造方法，首先对已形成栅极及其侧壁的间隙壁的基底进行一源/漏极离子植入，在间隙壁侧边的基底内形成源/漏极区；接着在栅极与源/漏极区表面形成自行对准金属硅化层；随后去除部分间隙壁，以形成剖面大致呈三角形的一锐角间隙壁，再对基底进行倾斜角离子植入，在栅极侧边与锐角间隙壁下的基底内形成源/漏极延伸区，然后进行一热循环处理，以调整源/漏极延伸区的接合深度与掺杂轮廓。

主权项

1.一种金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：包括：提供一基底，该基底上已形成有一栅极，且该栅极侧壁已形成有一间隙壁；在该间隙壁侧边的该基底内形成一源/漏极区；在该栅极与该源/漏极区暴露出的表面上形成复数个自行对准的金属硅化层；去除部分该间隙壁，使其成为一锐角间隙壁；对该基底进行一倾斜角离子植入，以在该栅极侧边与该锐角间隙壁下的该基底内形成一源/漏极延伸区。