发明名称 |
一种闪存的结构 |
摘要 |
一种闪存的结构,其结构包括一层穿隧氧化层、一个浮置栅极、一层介电叠层、一个控制栅极和一个源极/漏极区,其中介电叠层是由一层第一氧化层、一层高介电常数材质的介电层与一层第二氧化层依次堆栈而成,且配置在浮置栅极与控制栅极之间;而浮置栅极配置在穿隧氧化层上;控制栅极配置在介电叠层上;源极/漏极区配置在浮置栅极两侧的基底中。采用本发明可以降低操作闪存所需施加的电压值,进而减少能源损耗。 |
申请公布号 |
CN1393936A |
申请公布日期 |
2003.01.29 |
申请号 |
CN01129532.5 |
申请日期 |
2001.06.25 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
谢荣裕;林经祥 |
分类号 |
H01L29/788;H01L27/105;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L29/788 |
代理机构 |
北京集佳专利商标事务所 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
1、一种闪存的结构,包括:一层穿隧氧化层,其位于一基底上;一个浮置栅极,其位于该穿隧氧化层上;一层氧化层,其位于浮置栅极上;一个控制栅极,配置该氧化层上;以及一个源/漏极区,其位于该浮置栅极两侧的基底内,其特征是:该氧化层为介电叠层,该介电叠层包括一层第一氧化层,其位于浮置栅极上;一层高介电常数介电层,其位于第一氧化层上;一层第二氧化层,其位于高介电常数介电层上。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |