发明名称 DIODE COMPRISING A METAL SEMICONDUCTOR CONTACT AND A METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
摘要 A találmány tárgya dióda, fém félvezető kontaktussal és eljárás annakelőállítására. A találmány szerinti dióda magába foglal két fémeselektróda (5, 6) között elrendezett (5. 6) elvezető szubsztrátoterősen adalékolt első zónával (3), amely ohmos átvezetést képez azelső elektródához (6), ugyanolyan vezetőképesség típusú, gyengénadalékolt második zónát (1), amely egyenirányító átvezetést képez amásodik elektródához (5), ugyanolyan vezetőképesség típusú harmadikzónát (2), amely gyengébben adalékolt, mint a második zóna (3), ahol aharmadik zóna (2) az első és a második (1, 3) zónát egymástólelválasztja és a második zóna (1) a második elektróda (5 és a harmadikzóna (2) közé van bezárva. A találmány szerinti eljárás soránfélvezető szubsztrát harmadik zónájának (2) felületét, az erősenadalékolt első zónával (3) és a gyengén adalékolt, azonosvezetőképesség típusú harmadik zónával (2) veszik körül, azonosvezetőképesség típusú második zónát (1), mely erősebben adalékolt,mint a harmadik zóna (2), hozunk létre, és a felületen fémeselektródot (5) választanak ki, amely a második zónát (1) maga és aharmadik zóna (2) közé zárja be. Ó
申请公布号 HU0201871(A2) 申请公布日期 2003.01.28
申请号 HU20020001871 申请日期 2000.06.03
申请人 ROBERT BOSCH GMBH. 发明人 GOERLACH
分类号 H01L21/04;H01L21/329;H01L29/24;H01L29/47;H01L29/872 主分类号 H01L21/04
代理机构 代理人
主权项
地址