Organische Antireflex-Beschichtungspolymere, solche Polymere umfassende Antireflex-Beschichtungszusammensetzung und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Ein organisches Antireflex-Polymer, das eine Rückreflexion von tieferen Filmschichten verhindert und stehende Wellen eliminiert, die durch eine Dickenänderung des Photoresist und Licht verursacht werden, in einem Verfahren zur Herstellung ultrafeiner Strukturen, das ein Photoresist zur Lithographie verwendet, indem es 193 nm ArF einsetzt, und sein Herstellungsverfahren. Insbesondere ist das zur Herstellung ultrafeiner Strukturen von 64M, 256M, 1G und 4G DRAM Halbleiter-Vorrichtungen organische Antireflex-Polymer nützlich. Eine Zusammensetzung, die derartige organische Antireflex-Polymere enthält, eine daraus hergestellte Antireflex-Überzugsschicht und ein Verfahren zur Herstellung desselben.