Verfahren zur Herstellung großflächiger Membranmasken mittels Trockenätzen

摘要

Auf der Basis einer vorhandenen oder herzustellenden mehrschichtigen Halbleiter(1)-Isolator(2)-Halbleiterträgerschicht(3)-Scheibe (SOI-Substrat) kann der beim Trockenätzen auftretenden Ungleichmäßigkeit der Ätzverhältnisse zwischen Zentrum und Randbereich durch mehrere alternative Schritte, insbesondere einem zusätzlichen, die Ätz-Ungleichmäßigkeit ausgleichenden Schichtaufbau, entgegengewirkt werden, so dass in jedem Fall ein über die gesamte zu ätzende Fläche der Scheibe annähernd homogener Ätzabtrag erfolgt.