| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer nicht flüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69034027(D1) |
申请公布日期 |
2003.01.23 |
| 申请号 |
DE19906034027 |
申请日期 |
1990.07.13 |
| 申请人 |
SONY CORP., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
NODA, MASANORI;NAKAMURA, AKIHIRO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L27/115;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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