半导体激光元件及其制造方法

摘要

半导体激光元件及其制造方法。该元件至少在衬底上包括第一导电类型的第一包层、有源层、第二导电类型的第二包层、具有向谐振腔延伸的条形缺陷部分的电流阻挡层、掩埋在条形缺陷部分内的第二导电类型的第三包层、以及设置在第三包层上的第二导电类型的保护层。有源层包括邻近至少一端面的窗口区、以及具有多量子阱结构的内部区。通过用离子束从第二包层侧辐照内部区域，其后进行热处理(RTA)，形成窗口区。来自窗口区的光致发光的峰值波长λ_w满足不等式λ_w≤λ_i－5nm，其中λ_i是来自内部区域的光致发光的峰值波长λ_i，且该峰的半宽度比来自内部区域的光致发光的半宽度窄。

主权项

1.一种半导体激光元件，其在衬底上包括至少一第一导电类型的第一包层、一有源层、一第二导电类型的第二包层、具有在谐振腔方向上延伸的条形缺陷部分的一电流阻挡层、掩埋在电流阻挡层的条形缺陷部分内的一第二导电类型的第三包层、以及设置在第三包层上的一第二导电类型的保护层，其中有源层包括至少一邻近其一端面的窗口区、以及具有一量子阱结构的一内部区，以及对立于内部区域的部分用离子化的原子从设置在第二导电类型的第二包层侧上的层的表面辐照，其后经历热处理。