非易失性存储器

摘要

公开了一种数据存储器，它包括在介电材料衬底上形成的一个交叉点存储阵列。交叉点存储阵列包括第一和第二组横向电极，它们被一个包含至少一个半导体层的存储层所分隔。在每个由第一和第二组电极形成的交叉点处，存储层形成一个非易失性存储元件。通过对经过存储元件的预定电流形式的写入信号的应用，每个存储元件可以在低和高阻抗状态之间切换，表示对应的二进制状态。每个存储元件都包括在存储层上形成的二极管结点，至少是同时处于低阻抗状态。多个数据存储设备可以被堆叠并被层压成一个存储模块，以提供廉价的高容量数据存储。这样的存储模块可以被用于归档数据存储系统，其中存储模块提供一个一次写入的存储单元，该单元在设备或是接口卡中是可接收的。

主权项

1.一种数据存储设备，包括在介电衬底材料上形成的交叉点存储阵列，该交叉点存储阵列包括第一组和第二组横向电极，它们被包含至少一个半导体层的存储层所分离，存储层在从第一组到第二组的每个电极交叉点处形成一个非易失性存储元件，通过对以预定电流密度经过存储元件的方式进行的一种写入信号的应用，每个存储元件都可以在低和高阻抗状态之间转换，以代表各自的二进制数据状态，每个存储元件包括一个在所述存储层上形成的二极管结点，至少是在处于所述低阻抗状态的时候。