| 发明名称 | 外亚甲基降青霉烷类化合物的制造方法 | ||
| 摘要 | 外亚甲基降青霉烷化合物的制造方法，其特征在于用至少等摩尔量的标准氧化还原电位为-0.3(V/SCE)以下的金属以及0.0001～30倍摩尔量的具有比上述金属 高的标准氧化还原电位的金属化合物还原通式(1)表示的头孢烯化合物，得到通式(2)表示的外亚甲基降青霉烷化合物。式(1)中R<SUP>1</SUP>表示氢原子、氨基或被保护的氨基。R<SUP>2</SUP>表示氢原子、卤素原子等。R<SUP>3</SUP>表示氢原子或羧酸保护基。X表示卤素原子。式(2)中R<SUP>1</SUP>、R<SUP>2</SUP>及R<SUP>3</SUP>与上述相同。 | ||
| 申请公布号 | CN1099421C | 申请公布日期 | 2003.01.22 |
| 申请号 | CN98802433.0 | 申请日期 | 1998.03.05 |
| 申请人 | 大冢化学株式会社 | 发明人 | 鸟居滋;田中秀雄;龟山丰;德丸祥久 |
| 分类号 | C07D499/06;C07D499/00;C07D499/46;A61K31/43 | 主分类号 | C07D499/06 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 隗永良 |
| 主权项 | 1.外亚甲基降青霉烷化合物的制造方法，其特征在于用至少等摩尔量的标准氧化还原电位为-0.3(V/SCE)以下的金属以及0.0001～30倍摩尔量的具有比上述金属高的标准氧化还原电位的金属化合物还原通式(1)表示的头孢烯化合物，得到通式(2)表示的外亚甲基降青霉烷化合物，<img file="C9880243300021.GIF" wi="807" he="329" />式中R<sup>1</sup>表示氢原子、氨基或被保护的氨基，R<sup>2</sup>表示氢原子、卤素原子、低级烷氧基、低级酰基、低级烷基、羟基、被保护的羟基、或者具有羟基或被保护羟基作为取代基的低级烷基，R<sup>3</sup>表示氢原子或羧酸保护基，X表示卤素原子、可以具有取代基的低级烷基磺酰氧基、可以具有取代基的芳基磺酰氧基或卤代磺酰氧基；<img file="C9880243300022.GIF" wi="855" he="294" />式中R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>与上述相同。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||