发明名称 一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜
摘要 一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜,包括底层和磁性层,磁性层为:轻稀土元素7%-18%;重稀土元素:19%-28%;过渡金属:53%-74%;底层材料为Cr、Ti、Mo或W。上述磁性层上可设有防止磁性层氧化的顶层,其材料为SiO<SUB>2</SUB>、SiN、AlNSi或AlN。采用X射线衍射测量装置分析SiO<SUB>2</SUB>/SmTbCo/Cr/glass sub垂直磁化膜的样品结构时,没有发现稀土与过渡族元素(SmTbCo)的结晶相,表明该类膜是非晶膜。通过对样品的磁性能、磁光特性、磁各向异性常数和样品的组分的检测与分析,可知该膜具有较高的磁各向异性,Ku值高于4.5×10<SUP>6</SUP>erg/cm<SUP>3</SUP>,这种膜具有的良好的热稳定性。由于有较大的磁滞回线矩形度,又是非晶膜,其热噪声很低。
申请公布号 CN1392535A 申请公布日期 2003.01.22
申请号 CN02138727.3 申请日期 2002.06.30
申请人 华中科技大学 发明人 李佐宜;黄致新;林更琪;李震;杨晓非
分类号 G11B5/66;G11B5/73 主分类号 G11B5/66
代理机构 华中科技大学专利中心 代理人 方放
主权项 1.一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜,包括底层和磁性层,其特征在于:所述磁性层的成分及元素比为: 轻稀土元素:7%-18%; 重稀土元素:19%-28%; 过渡金属: 53%-74%。
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