| 发明名称 | 用粘贴法制造SOI基片的方法及SOI基片 | ||
| 摘要 | 本发明解决了粘贴SOI基片在其周边部分产生空洞和由此导致的器件数量减少的问题。本发明涉及一种制造SOI基片的方法，所述SOI基片通过粘贴具有SiO<SUB>2</SUB>表面的第一Si基片和具有Si表面的第二Si基片而获得，粘贴在SiO<SUB>2</SUB>表面和Si表面上进行，该方法包括：在把第一Si基片和第二Si基片粘贴在一起前，清洗第二Si基片的Si表面，使之具有疏水性的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1099699C | 申请公布日期 | 2003.01.22 |
| 申请号 | CN97111685.7 | 申请日期 | 1997.04.08 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 山方宪二;米原隆夫;阿闭忠司;坂口清文 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 徐汝巽 |
| 主权项 | 1.一种制造SOI基片的方法，包括粘贴具有氧化硅表面(102， 204，304)的第一基片(101，201，310)和具有Si表面的第二基 片(110，210，301)的步骤，以及在所述粘贴步骤之前的疏水处 理步骤，其特征在于，所述粘贴步骤包括清洗所述第二基片的Si表面，以便在所述第一基片和第二基片粘贴在一起之前，使第二 基片的Si表面具有疏水性；将所述第一基片和第二基片粘贴在一 起并使第一基片的氧化硅表面与第二基片的Si表面接触；和在不 低于900℃的温度下热处理上述粘贴在一起的基片以使它们接合 起来。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||