| 发明名称 | 强电介质存储装置及其制造方法以及混载装置 | ||
| 摘要 | 本发明的强电介质存储装置包括存储单元阵列(100)和用于对存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分(200)，其中，存储单元阵列(100)矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极(12)，沿着与第1信号电极(12)交叉的方向排列的第2信号电极(16)和至少配置在第1信号电极(12)与第2信号电极(16)的交叉区域中的强电介质层(14)，存储单元阵列(100)与周边电路部分(200)配置在不同的层中，周边电路部分(200)形成在存储单元阵列的外侧区域(100)中。 | ||
| 申请公布号 | CN1393037A | 申请公布日期 | 2003.01.22 |
| 申请号 | CN01802788.1 | 申请日期 | 2001.08.21 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 长谷川和正;名取荣治;西川尚男;小口幸一;下田达也 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/105;G11C11/22 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种强电介质存储装置，其特征在于：包括存储单元阵列和用于对上述存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分，其中，存储单元阵列矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极，沿着与该第1信号电极交叉的方向排列的第2信号电极，至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，上述存储单元阵列和上述周边电路部分配置在不同的层中，上述周边电路部分形成在上述存储单元阵列的外侧区域中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||