主权项 |
1、一种金属氧化膜电阻器的制造工艺,其特征在于包括如下步骤: 1)采用含稀土元素的Si-Cr-Ni-Re四元合金体系高阻溅射靶材为原材料,靶 材具体成份的重量百分比为Si:35%-72%、Cr:25%-50%、Ni:2%-20%, Si、Cr和Ni元素总百分比为100%,稀土元素为镧系和锕系稀土混合物, 含量为Si、Cr和Ni三元素总重量的0.1%-3.0%; 2)进行直流溅射,溅射前工作室预真空在5×10<sup>-3</sup>pa以上,直流溅射气体为 氩气和氧气的混合体,Ar和O<sub>2</sub>的体积百分比为9.0~9.5∶1~0.5,流量为 50sccm,直流溅射气压为1.0~3.0×10<sup>-1</sup>Pa,溅射功率为200-450W,时间 为20-200分钟,离子电源的位置与靶材被溅射面平行,其功率为200W; 3)进行射频溅射:工作气体为氩气和氧气的混合物,Ar和O<sub>2</sub>的体积百分比 为9∶1,溅射气压为1.0-3.0×10<sup>-1</sup>Pa,功率为500W,时间为10-20分钟, 得到电阻器的毛坯电阻体; 4)热处理:温度为300℃-500℃; 5)经涂漆、压帽、焊引线、刻槽及涂外漆后道工序,得到具有双层膜结构的 成品电阻器。 |