| 主权项 |
1.用于生产半导体器件的工艺，其包含如下步骤：a)准备第一半导体结构(31/32/3/35/36/37)；b)将光刻胶溶液涂到所述第一半导体结构上，其中光刻胶溶液具有被感光特性，并用在驻波存在下具有周期性的两条曲线(P111/PL12)表示，且它们的相位彼此不同，从而形成厚度变化的第一光刻胶层(38)；c)对所述第一光刻胶层(38)曝光成载有光辐射的第一图象，其中光辐射沿其中一条所述曲线改变所述被感光特性，从而在所述第一光刻胶层中形成第一潜像；d)显影所述第一潜像，从而在第一光刻胶掩膜中形成第一光刻胶层；e)通过用所述第一光刻胶掩膜在所述第一半导体结构的第一表面上进行第一预定操作，从而所述第一半导体结构被修改为第二半导体结构(31/32/3/35/36/37/39/40)；f)将所述光刻胶溶液涂到所述半导体结构上，从而形成厚度不同的第二光刻胶层(41)；g)将所述第二光刻胶层(41)曝光成载有光辐射的第二图象，其中所述光辐射沿所述两条曲线的另一条改变所述被感光特性，从而在所述第二光刻胶层中形成第二潜像；h)显影所述第二潜像，从而将所述第二光刻胶层形成在第二光刻胶掩膜中；及i)通过用第二光刻胶掩膜在所述第二半导体结构的第二区域上进行第二预定操作，所述第一及第二区域中的一个嵌套在另一个之中，其特征在于：所述第二光刻胶层(41)的厚度(d2/d3)与所述第一光刻胶层(38)的厚度(d0/d1)不同，其差值至少等于所述周期性的周期(T)的一半。 |
