改善浅沟槽隔离区的漏电流和崩溃电压的方法

摘要

一种改善浅沟槽隔离区的漏电流和崩溃电压的方法，是以罩幕层和垫氧化层为蚀刻罩幕，于基底中蚀刻出沟槽，在沟槽的表面形成衬氧化层之后，于衬氧化层上形成氮氧化硅层，再于沟槽内填满绝缘物质，并利用化学机械研磨将多余的绝缘物质移除，接着将上述的蚀刻罩幕剥除，得到避免复晶硅残留于沟槽角落的凹陷处和降低漏电流的浅沟槽隔离区。具有降低漏电流和提高崩溃电压的功效。

主权项

1、一种改善浅沟槽隔离区的漏电流和崩溃电压的方法，其特征是：至少包括如下的步骤：(1)于基底上依序形成垫氧化层和罩幕层；(2)将该垫氧化层和罩幕层图案化，并以图案化后的垫氧化层和罩幕层为蚀刻罩幕，蚀刻该基底，于该基底中形成一沟槽；(3)于该沟槽的表面形成一衬氧化层；(4)于该衬氧化层上形成一氮氧化硅层；(5)形成一绝缘层，填入该沟槽中；(6)剥除该罩幕层和垫氧化层，以形成沟槽隔离区。