| 主权项 |
1.一种小晶粒之置晶检测装置,包括:一晶圆,该晶圆系经过切割并形成复数个小晶粒;一承盘,其具有复数个容置槽可供小晶粒放置于其中;一机器手臂,系可以在晶圆与承盘之间来回移动;以及一吸附头,其系利用一挠性构件与机器手臂相连接,该吸附头系可以吸附小晶粒,该挠性构件系藉由变形以吸收小晶粒在置晶时因为碰撞到障碍物所产生的阻力;其特征在于:该检测装置更包括一感应器,该感应器系可以感应挠性构件之变形,以检测小晶粒在置晶过程中是否因为受到障碍物的阻挡而无法顺利地置晶。2.如申请专利范围第1项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该挠性构件系为弹簧。3.如申请专利范围第1项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该小晶粒在置晶时所碰撞的障碍物系为承盘之容置槽的侧边。4.如申请专利范围第1项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该感应器系为电磁式感应器,该电磁式感应器系分别设于机器手臂与吸附头之上,当吸附头碰撞到障碍物时将使挠性构件产生变形,造成吸附头与机器手臂之间的相对移动,进而使该电磁式感应器因为移动而产生感应,并发出警告讯号以告知现场人员将障碍物排除。5.如申请专利范围第1项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该感应器系为气压式感应器,其中该机器手臂具有一第一接头和一第二接头,该第一接头系利用一管路连接至一气体供应源,且在该管路上设有一气压计,该第二接头系为吸附头所封闭,当吸附头碰撞到障碍物时将使挠性构件产生变形,造成吸附头与机器手臂之间的相对移动而无法将第二接头封闭,造成气压计的气压产生变化,并发出警告讯号以告知现场人员将障碍物排除。6.如申请专利范围第1项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该感应器系为液压式感应器,其中该机器手臂具有一第一接头和一第二接头,该第一接头系利用一管路连接至一液体供应源,且在该管路上设有一液压计,该第二接头系为吸附头所封闭,当吸附头碰撞到障碍物时将使挠性构件产生变形,造成吸附头与机器手臂之间的相对移动而无法将第二接头封闭,造成液压计的液压产生变化,并发出警告讯号以告知现场人员将障碍物排除。7.如申请专利范围第1项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该吸附头系为真空吸附头。8.如申请专利范围第1项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该检测装置更包括一红外线感应器,该红外线感应器之高度系与承盘之容置槽上缘相同,该红外线感应器系可以感应小晶粒是否直立于容置槽之中。9.一种小晶粒之置晶检测装置,包括:一晶圆,该晶圆系经过切割并形成复数个小晶粒;一承盘,其具有复数个容置槽可供小晶粒置晶于其中;一机器手臂,系可以在晶圆与承盘之间来回移动;以及一吸附头,其系利用一挠性构件与机器手臂相连接,该吸附头系可以吸附小晶粒,该挠性构件系藉由变形以吸收小晶粒在置晶时因为碰撞到障碍物所产生的阻力;其特征在于:该检测装置更包括一感应器以及一红外线感应器,该感应器系可以感应挠性构件之变形,以检测小晶粒在置晶过程中是否因为受到障碍物的阻挡而无法顺利地置晶,该红外线感应器之高度系与承盘之容置槽上缘相同,以感应小晶粒是否直立于容置槽之中。10.如申请专利范围第9项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该挠性构件系为弹簧。11.如申请专利范围第9项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该小晶粒在置晶时所碰撞的障碍物系为承盘之容置槽的侧边。12.如申请专利范围第9项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该感应器系为电磁式感应器,该电磁式感应器系分别设于机器手臂与吸附头之上,当吸附头碰撞到障碍物时将使挠性构件产生变形,造成吸附头与机器手臂之间的相对移动,进而使该电磁式感应器因为位移而产生感应,并发出警告讯号以告知现场人员将障碍物排除。13.如申请专利范围第9项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该感应器系为气压式感应器,其中该机器手臂具有一第一接头和一第二接头,该第一接头系利用一管路连接至一气体供应源,且在该管路上设有一气压计,该第二接头系为吸附头所封闭,当吸附头碰撞到障碍物时将使挠性构件产生变形,造成吸附头与机器手臂之间的相对移动而无法将第二接头封闭,造成气压计的气压产生变化,并发出警告讯号以告知现场人员将障碍物排除。14.如申请专利范围第9项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该感应器系为液压式感应器,其中该机器手臂具有一第一接头和一第二接头,该第一接头系利用一管路连接至一液体供应源,且在该管路上设有一液压计,该第二接头系为吸附头所封闭,当吸附头碰撞到障碍物时将使挠性构件产生变形,造成吸附头与机器手臂之间的相对移动而无法将第二接头封闭,造成液压计的液压产生变化,并发出警告讯号以告知现场人员将障碍物排除。15.如申请专利范围第9项所述之小晶粒之置晶检测装置,其中该吸附头系为真空吸附头。图式简单说明:图一系小晶粒直立或斜靠于承盘之容置槽之示意图。图二系为本创作之小晶粒之置晶检测装置之示意图。图三系为本创作之小晶粒置晶失败之示意图。图四系为本创作以红外线感应器检测小晶粒之示意图。图五系为本创作之小晶粒之置晶检测装置之变化例图。图六系为本创作之小晶粒之置晶检测装置之变化例图。 |
