| 主权项 |
1.一种加工处理半导体晶圆的方法,包含下述步骤:将一支持晶圆以一两侧黏着剂薄片黏至一其上具有配线图案之半导体晶圆的前表面上;及在该半导体晶圆系被固定的状态下,于一半导体晶圆的一后表面上进行一磨薄化加工。2.如申请专利范围第1项之加工处理半导体晶圆的方法,其中该两侧黏着剂薄片在黏着至该半导体晶圆前表面的一侧之黏着剂表面,系为一种其黏着至该半导体晶圆之前表面的黏着力会磨薄化加工之后减少的黏着剂。3.如申请专利范围第1项之加工处理半导体晶圆的方法,其中该两侧黏着剂薄片在黏着至该半导体晶圆前表面的一侧之黏着剂表面,系为一热分离型黏着剂表面。4.一种用于加工处理一半导体晶圆之两侧黏着剂薄片,系用于如申请专利范围第1项之加工处理半导体晶圆的方法中,其中该两侧黏着剂薄片在黏着至该半导体晶圆前表面的一侧之黏着剂表面,系为一热分离型黏着剂表面。图式简单说明:第1图描述用于在本发明之半导体晶圆上进行一个磨薄步骤与其之后的切割步骤的阶段示意图。第2图两侧黏着剂薄片之外观图。第3图两侧黏着剂薄片之剖视图。 |
