| 主权项 |
1.一种改善晶圆制程之方法,至少包含下列步骤:形成一电浆,由一至少包含有机配位体之气体形成之;以电浆处理一半导体晶圆;及以光子曝光此半导体晶圆或电浆来改善制程。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之光子有一从红外线、紫外线、真空紫外线和可见光或是由此合成之族群所选择出来之频带波长。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之光子由灯泡产生。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之光子藉着于电浆中加入化学物质而产生。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之与有机配位体反应之光子改善了电浆制程效能。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之半导体晶圆还包括了一层选自由铝、钨、矽化钨、矽、二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、光阻、钛、氮化钛、钽、氮化钽所构成之材料族群。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之曝光步骤提升光化学解吸附一有妨碍该半导体晶圆制程倾向之材料。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之制程提升还包括了从以下所构成之族群作改善选择:选择增加电阻、于蚀刻中减少条纹、改善蚀刻纵横尺寸比率、确实的消除光电损害、减少因充电损害所引起的轮廓刻痕、改善轮廓控制、减少微量负载、缓和填充缺口之困难度、改善蚀刻率、改善于矽和氮化矽上之氧化物选择、光阻内部变硬、改善清除之平均间隔时间、并减少感应铜残留物。9.如申请专利范围第1项所述之方法,还包括一个或多个步骤从调整光子强度,光子能量或总数目之族群中做选择。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之曝光步骤发生于电浆制程中。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之曝光步骤提升感应铜残留物之光解吸附成气体。12.一种降低于铝蚀刻制程中生成感应铜残留物之方法,其包括下列步骤:以电浆蚀刻其上有显着铝层之半导体晶圆;和以光子曝光此半导体晶圆来帮助降低感应铜残量物。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之光子有一从红外线、紫外线、真空紫外线和可见光或是将此合并之族群所选择出之频带波长。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之光子由灯泡产出。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之之光子藉着于电浆中加入化学物质而产生。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之曝光步骤执行于电浆蚀刻时。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之电浆蚀刻是由以氯为基础之化学物质执行。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述之曝光步骤提升铜氯化物之光解吸附。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中上述之铜氯化物解吸附成一气体。20.如申请专利范围第12项所述之方法,还包括一个或多个步骤从调整光子强度,光子能量或总数目之族群中做选择。21.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之制程提升还包括了从以下所构成之族群作改善选择:选择增加电阻、于蚀刻中减少条纹、改善蚀刻纵横尺寸比率、确实的消除充电损害、减少因充电损害所引起的轮廓刻痕、改善轮廓控制、减少微量负载、缓和填充缺口之困难度、改善蚀刻率、改善于矽和氮化矽上之氧化物选择、光阻内部变硬、改善清除之平均间隔时间、并减少感应铜残留物。22.一种于蚀刻制程中降低感应铜残流物之方法,其包括下列步骤:形成一电浆,由一至少包含有机配位体之气体形成之;以可形成铜氯化物之氯基础化学物质蚀刻于半导体晶圆一层;将此半导体晶圆于光子中曝光以光解吸附铜氯化物。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之铜氯化物被解吸附成气体。24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之光子有一从红外线、紫外线、真空紫外线和可见光或是将此合并之族群所选择出之频带波长。25.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之光子由灯泡产出。26.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之曝光步骤执行于电浆蚀刻时。27.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之蚀刻步骤是由蚀刻一显着的铝层所组成。28.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之蚀刻步骤是由蚀刻一显着的铜层所组成。29.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之曝光步骤还包括了从以下所构成之族群作改善选择:选择增加电阻、于蚀刻中减少条纹、改善蚀刻纵横尺寸比率、确实的消除充电损害、减少因充电损害所引起的轮廓刻痕、改善轮廓控制、减少微量负载、缓和填充缺口之困难度、改善蚀刻率、改善于矽和氮化矽上之氧化物选择、光阻内部变硬、改善清除之平均间隔时间、并减少感应铜残留物。30.一种储存许多指令之电脑可读取媒体,当执行一电脑时这些指令会指示电脑控制半导体晶圆反应室执行下列步骤:形成一电浆,由一至少包含一有机配位体之气体形成之;电浆制程一半导体晶圆;及以光子曝光此半导体晶圆。31.如申请专利范围第30项所述之媒体,其中上述之光子有一从红外线、紫外线,真空紫外线和可见光或是将此合并之族群所选择出之频带波长。32.如申请专利范围第30项所述之媒体,其中上述之光子由灯泡产出。33.如申请专利范围第30项所述之媒体,其中上述之与有机配位体反应之光子增进了电浆制程表现。34.如申请专利范围第30项所述之媒体,其中上述之半导体晶圆另外还包括了一层选自由铝、钨、矽化钨、矽、二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、光阻、钛、氮化钛、钽、氮化钽所构成之材料族群。35.如申请专利范围第30项所述之媒体,其中上述之曝光步骤提升光化学解吸附一有妨碍该半导体晶圆制程倾向之材料。36.如申请专利范围第35项所述之媒体,其中上述之材料被解吸附成气体。37.如申请专利范围第30项所述之媒体,其中上述之曝光步骤造成了从以下所构成之族群所作选择之制程改善:选择增加电阻、于蚀刻中减少条纹、改善蚀刻纵横尺寸比率、确实的消除充电损害、减少因充电损害所引起的轮廓刻痕、改善轮廓控制、减少微量负载、缓和填充缺口之困难度、改善蚀刻率、改善于矽和氮化矽上之氧化物选择、光阻内部变硬、改善清除之平均间隔时间、并减少感应铜残留物。38.如申请专利范围第30项所述之媒体,其中上述之曝光步骤于电浆制程中发生。图式简单说明:第1图为使用来实行本发明之半导体晶圆制程反应室的示意图;第2图为表示本发明方法之流程图;第3图为在铝蚀刻过程中,没有经UV光曝光之晶圆开放区的扫描电子显微镜(SEM)图;和第4图为在铝蚀刻过程中,经3000瓦汞柱灯泡曝光之晶圆开放区的扫描电子显微镜(SEM)图。 |
