| 主权项 |
1.一种控制一覆盖层之厚度之方法,该覆盖层系位于一静电屏蔽射频电浆产生器中一处理管之管壁,该方法包括下列步骤:选定该处理管管壁覆盖层之一目标厚度;选定一对应于该目标厚度之电流偏压,以便施予一偏压遮罩,该偏压遮罩系位于该处理管与一静电遮罩之间;量测该处理管管壁覆盖层之厚度;将测得之厚度与该目标厚度进行比较;及若测得之厚度与该目标厚度不符,调整该电流偏压。2.如申请专利范围第1项之方法,其中量测之步骤包括:利用一微波信号进行量测。3.如申请专利范围第2项之方法,其中以微波信号进行量测之步骤包括:量测一反射微波信号之大小。4.如申请专利范围第2项之方法,其中以微波信号进行量测之步骤包括:量测一通过该处理管内之一电浆之微波信号大小。5.如申请专利范围第1项之方法,其中量测之步骤包括利用涡流探针进行量测。6.如申请专利范围第1项之方法,其中量测之步骤包括:利用电容探针进行量测。7.如申请专利范围第1项之方法,其中量测之步骤包括:利用椭圆偏光计进行量测,量测时需与该处理管之一表面形成某一角度。8.如申请专利范围第1之方法,其中量测之步骤包括:利用干涉仪量测法进行量测。9.如申请专利范围第1项之方法,其中量测之步骤包括:利用一光学信号进行量测。10.如申请专利范围第9项之方法,其中以光学信号进行量测之步骤包括:量测一反射光之大小。11.如申请专利范围第9项之方法,其中以光学信号进行量测之步骤包括:量测一穿过该处理管内之一电浆之光量。12.如申请专利范围第1项之方法,其中量测之步骤包括:当一薄膜沉积于该处理管之一外露表面时,量测一压电晶体之振荡频率。图式简单说明:图1为本发明一电屏蔽射频产生器之局部切除俯视图,该电屏蔽射频产生器兼具有一静电遮罩及一偏压遮罩;图2为图1中电屏蔽射频产生器之全剖面图;图3为一俯视剖面图,显示图1中若干构件之相互关系;图4A为一俯视剖面图,显示一涡流线圈之位置;图4B为图4A所示涡流线圈之构造示意图;图5为一根据本发明之监测方法之流程图;图6为一俯视剖面图,显示电屏蔽射频产生器之另一具体实例,该电屏蔽射频产生器共使用两个喇叭;及图7则为一剖面图,显示一用于量测薄膜厚度之光学路径。 |
