发明名称 场发射显示器及方法
摘要 一种用于操作一场发射显示器(10)之方法及具有在其上配置电子发射器结构(24)之复数行导体(17、18、19)之场发射显示器(10)。行导体驱动器电路(47、48、49)系耦合于各别之行导体(17、18、19)及列导体驱动器电路(37、38、39)系耦合于各别之列导体(27、28、29),以组成子像素(50、57、58、60、67、68、70、77、78)。行导体驱动器电路(47、48、49)及列导体驱动器电路(37、38、39)结合以导致电子发射器结构(24)发射电子。行导体驱动器电路(47、48、49)测量一在至少一个行导体上之信号改变及藉此比较结果调整电子发射器结构(24)之操作状态。
申请公布号 TW518627 申请公布日期 2003.01.21
申请号 TW090118461 申请日期 2001.07.27
申请人 摩托罗拉公司 发明人 罗伯特 T 史密斯
分类号 H01J1/30 主分类号 H01J1/30
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种用于操作一场发射显示器之方法,场发射显示器具有复数行导体供电子发射器结构配置于其上及具有复数列导体且内部设有孔,其中一行导体驱动器电路系耦合于复数行导体之一第一行导体,及其中复数行导体及复数列导体配合组成子像素,该方法包含:使电子发射器结构之一部分发射电子,藉此定义一发射电流;测量在复数行导体之至少一行导体上之一信号改变,藉此定义一经测量之电压变化;比较一强度电压数値及经测量之电压变化,藉此定义一调整电压値;及调整根据调整电压値发射电流之该电子发射器结构部分之一操作状态。2.如申请专利范围第1项之方法,其中使该电子发射器结构之该部分发射电子包含施加一列选择电压到复数列导体之一列导体。3.如申请专利范围第1项之方法,其中使该电子发射器结构之该部分发射电子包含配置行导体驱动器电路在一高阻抗状态中。4.如申请专利范围第1项之方法,其中测量在复数行导体之至少一行导体上之信号改变包含一行导体电压变化。5.如申请专利范围第4项之方法,其中调整操作状态包含停止至少一电子发射器结构。6.如申请专利范围第1项之方法,其中调整包含使用振幅调变以改变来自预先决定之电子发射器结构之电子发射。7.如申请专利范围第6项之方法,其中调整包含使用脉波宽度调变以增加来自预先决定之电子发射器结构之电子发射。8.如申请专利范围第7项之方法,其中调整系在一单一信号讯框时脉期间加以执行。9.如申请专利范围第1项之方法,其中调整包含使用脉波宽度调变以增加来自预先决定之电子发射器结构之电子发射。10.一种用于操作一场发射显示器之方法,场发射显示器具有经过一第一电容器以耦合于一第二导体及经过一第二电容器以耦合于一第三导体之一第一导体,其中一第一导体驱动电路系耦合于该第一导体及复数电子发射器结构系配置于该第一导体上及一第二导体驱动电路系耦合于该第二导体,该方法包含:使复数电子发射器结构发射电子,藉此定义一发射电流;及当发射电流超过一预先决定之电流时,停止从复数电子发射器结构发射电子。11.一种场发射显示器,包含:一第一导体;一第一导体驱动器电路,耦合于该第一导体,该第一导体驱动器电路可以操作在一高阻抗状态中;一第二导体,该第二导体经过一第一电容器耦合于该第一导体;一第二导体驱动器电路,耦合于该第二导体;一第三导体,该第三导体经过一第二电容器耦合于该第一导体;一第三导体驱动器电路,耦合于该第三导体;及复数电子发射器结构,配置于该第一导体上。图式简单说明:图1系代表根据本发明实施例场发射显示器之一特定切开等角图及电路配置;图2系代表图1之场发射显示器之等效电路;图3系相关于本发明图1之一行导体驱动器电路电路图;及图4系用于图1之场发射显示器之操作之一时脉图。
地址 美国