| 主权项 |
1.一种积体记忆体,特别是铁电记忆体,其具有:记忆电容器(MC),配置在字元线(WLi)及位元线对(BLi,/BLi)(由位元线(BLi)和具有位元线参考电压(V/BLi)之参考位元线(/BLi)所构成)之相交点;及选择电晶体(TM),藉此可使记忆电容器与位元线相连且此TM之控制电极是与字线相连;另有一个差动式写-/读放大器(SA),其经由转换电晶体(T)而与位元线对相连以便可对此记忆电容器(CM)进行资料之读/写,其特征为:主参考位元线(/BLo)经由充电-切换元件(TL)而与参考电压(VREF)相连,至少另一参考位元线(/BLi)经由一种平衡-切换元件(TA)而与主参考位元线相连以便在各参考位元线之寄生电容之间达成电荷平衡。2.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中该参考电压(VREF)由参考电压源提供。3.如申请专利范围第1或第2项之积体记忆体,其中主参考位元线(/BLO)藉由三个平衡-切换元件(TA)而与另外三条参考位元线(/BLi)相连以达成电荷平衡。4.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中各平衡-切换元件(TA)互相串联。5.如申请专利范围第3项之积体记忆体,其中各平衡-切换元件(TA)互相串联。6.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中一种P-通道-电晶体用作该充电-切换元件(TL)。7.一种积体记忆体之参考位元线(/BLi)上之参考电压(V/BLi)之产生方法,特别是铁电记忆体,其具有记忆电容器(CM),藉由差动式放大器(SA)以便可对此种与位元线对(BLi,/BLi)(其由位元线(BLi)和具有位元线参考电压(V/BLi)之参考位元线(/BLi)所构成)相连之记忆电容器(CM)进行资料之读出,本方法之特征为以下各步骤:使参考电压(VGEN)切换至主参考位元线(/BLO),使参考电压(VGEN)由主参考位元线(/BLO)隔离,使至少另外一条参考位元线(/BL1,/BL2,/BL3)并联至主参考位元线,这样可使各参考位元线之并联之寄生电容(CPi)中所储存之电荷达成平衡且该参考电压(VREF)可分布成多个相同大小之位元线参考电压(V/BLi)。8.如申请专利范围第7项之产生方法,其中各参考位元线(/BLi)上之电荷平衡之后这些电荷藉由平衡-切换元件(TA)又互相隔开。图式简单说明:第1图 本发明铁电忆体配置之电路图。第2图 对第1图之补充说明,其具有多个切换元件以产生位元线参考电压。第3图 在本发明之方法中第1,2图之电路配置中各条位元线之参考电压之电压-时间-曲线图。 |
