| 主权项 |
1.一种半导体装置用卷带载体,具有可挠性之绝缘卷带之一面上形成金属配线层,另一面被开口之锡焊孔用之剥除孔的外缘上,形成有环状之金属圈,其特征为该金属圈上,设有相对于其圆周方向长度为4%以下之宽度的切口。2.一种半导体装置用卷带载体,具有可挠性之绝缘卷带之一面上形成金属配线层,另一面被开口之锡焊球用之剥除孔的外缘上,形成有环状之金属圈,其特征为该金属圈是由设有对称间隙而配置之2个以上之圆弧状部份所构成,该间隙之合计为对于圆周方向长度为40%以下。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置用卷带载体,其中该金属圈之表面上实施镀镍,该镀镍层之上实施镀金作业。4.如申请专利范围第1或2项之半导体装置用卷带载体,其中该金属圈之表面上实施镀金作业。5.一种半导体装置用卷带载体之制造方法,是在具有可挠性之绝缘卷带之两面上形成金属箔,由保护膜之形成、蚀刻加工、及保护膜之去除,而使一面上形成装设半导体晶片所用之金属配线层,另一面之所要位置上则使绝缘卷带露出,该含有金属配线层之该一面被树脂膜所保护,该绝缘卷带之露出部份由于蚀刻加工而在该所要位置上形成剥除孔,该剥除孔及该剥除孔之外缘至少一部份上,由树脂保护膜之形成并且进行蚀刻加工,使保护膜之露出部份的该金属箔被除去,此时在剥除孔之外缘上金属箔被除去之宽度,为该外缘之圆周方向长度的4%以下,由残留之金属箔而在剥除孔之外缘上形成环状之金属圈,将绝缘卷带两面上所形成的保护膜除去而制成半导体装置用卷带载体。6.一种半导体装置用卷带载体之制造方法,是由:在具有可挠性之绝缘卷带之两面上形成金属箔,由保护膜之形成、蚀刻加工、及保护膜之去除,而使一面上形成装设半导体晶片所用之金属配线层,另一面之所要位置上则使绝缘卷带露出,该含有金属配线层之该一面被树脂膜所保护,该绝缘卷带之露出部份由于蚀刻加工而形成剥除孔,该剥除孔及该剥除孔之外缘的多个地点上,由树脂保护膜之形成并且进行蚀刻加工,使保护膜之露出部份的该金属箔被除去,以上之各工程所形成,该金属圈是由设有对称间隙而配置之2个以上之圆弧状部份所构成,该间隙之合计为对于圆周方向长度为40%以下。7.如申请专利范围第5或6项之半导体装置用卷带载体之制造方法,另外包括:该金属圈之表面上实施镀镍,进一步地实施镀金作业。8.如申请专利范围第5或6项之半导体装置用卷带载体之制造方法,另外包括:该金属圈之表面上实施镀金作业。9.一种半导体装置,其特征为:使用如申请专利范围第1到4项中任一项之半导体装置用卷带载体,该金属配线层上连接半导体机晶片,将该剥除孔及金属圈进行包覆地而使锡焊球被装上,使金属配线层及锡焊球可电性连接。10.一种半导体装置之制造方法,其特征为:在如申请专利范围第5或6项之半导体装置用卷带载体之制造方法中,另外包括:该金属配线层上连接半导体晶片,将该剥除孔及该剥除孔邻接之金属箔部份进行包覆地而使锡焊球被装上,使金属配线层及锡焊球可做电性连接。11.一种半导体装置用卷带载体,是由:预定位置上有剥除孔贯通着,用来装载半导体晶片用之绝缘卷带,及在该绝缘卷带上形成而且与该半导体晶片形成电性连接之金属配线层,及经由该绝缘卷带里面所形成之该剥除孔而与该金属配线层连接之锡焊球,及在该绝缘卷带里面为该锡焊球所被配置之位置上,与该锡焊球接合之环状金属圈所构成,其特征为:该金属圈上,设有相对于其圆周方向长度为4%以下之宽度的切口。12.一种半导体装置用卷带载体,是由:预定位置上有剥除孔贯通着,用来装载半导体晶片用之绝缘卷带,及在该绝缘卷带上形成而且与该半导体晶片形成电性连接之金属配线层,及经由该绝缘卷带里面所形成之该剥除孔而与该金属配线层连接之锡焊球,及在该绝缘卷带里面为该锡焊球所被配置之位置上,与该锡焊球接合之环状金属圈所构成,其特征为:该金属圈是由设有对称间隙而配置之2个以上之圆弧状部份所构成,该间隙之合计为对于圆周方向长度为40%以下。图式简单说明:第1图是显示本发明之半导体装置用卷带载体一个实施例之剖面图;第2图是显示本发明半导体装置一个实施例之剖面图;第3图是显示第2图之半导体装置之局部之放大剖面图;第4图是显示设有切痕之圆形金属圈之平面图;第5图是显示设有二个气体逸出用通路之圆形金属圈之平面图;第6图是显示设有三个气体逸出用通路之圆形金属圈之平面图;第7图是显示设有四个气体逸出用通路之圆形金属圈之平面图;第8图是显示设有切痕之三角形金属圈之平面图;第9图是显示设有切痕之四角形金属圈之平面图;第10图是显示设有切痕之五角形金属圈之平面图;第11图是显示在直线部份上设有切痕之三角形金属圈之平面图;第12图是显示在直线部份上设有切痕之四角形金属圈之平面图;第13图是显示在直线部份上设有切痕之五角形金属圈之平面图;第14图是显示在角部份上设有切痕之三角形金属圈之平面图;第15图是显示在角部份上设有切痕之四角形金属圈之平面图;第16图是显示在角部份上设有切痕之五角形金属圈之平面图;第17图是显示配置有金属箔及光阻层之绝缘卷带的剖面图;第18图显示形成有金属配线层之卷带元件的剖面图;第19图是显示形成有剥除孔之卷带元件的剖面图;第20图被覆有光阻层之卷带元件的剖面图;第21图是显示形成有金属圈之卷带元件的剖面图;第22图是显示半导体装置用卷带载体之剖面图。 |
