| 发明名称 |
METHOD FOR REDUCING TOPOGRAPHY DEPENDENT CHARGING EFFECTS IN A PLASMA ENHANCED SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING SYSTEM |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG93862(A1) |
申请公布日期 |
2003.01.21 |
| 申请号 |
SG20000001761 |
申请日期 |
2000.03.29 |
| 申请人 |
APPLIED MATERIALS, INC. |
发明人 |
KENLIN HUANG;DIANA XIAOBING MA;PETER LOEWENHARDT;JOHN M. YAMARTINO |
| 分类号 |
H01L21/302;H01J37/32;H01L21/00;H01L21/3065;(IPC1-7):C23C16/50;H01L21/30 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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