Verfahren zur Dotierung eines Halbleiterkörpers

摘要

Bei den bisher bekannten Verfahren ist bei einer grabenförmigen Struktur die Dotierung der Seitenwände an die Dotierung des Bodenbereiches gekoppelt. DOLLAR A Nach dem neuen Verfahren läßt sich bei einer grabenförmigen Struktur die Dotierung der Seitenwände unabhängig von der Dotierung des Bodenbereichs einstellen. Ferner läßt sich auch die Konzentration der Dotierung zwischen den einzelnen Seitenwänden unterschiedlich einstellen.