Halbleitervorrichtung mit Isolierfilm und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Es wird eine Halbleitervorrichtung, die eine Verschlechterung einer elektrischen Eigenschaft davon verhindern kann, sowie ein Verfahren zum Herstellen derselben bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung umfaßt: ein Halbleitersubstrat (1) mit einem Elementbildungsbereich und einem an den Elementbildungsbereich angrenzenden Elementisolationsbereich (2), und wobei ein Stufenbereich (15) an dem Grenzabschnitt zwischen dem Elementbildungsbereich und dem Elementisolationsbereich auf einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) gebildet ist. Die Halbleitervorrichtung umfaßt ferner: einen Isolierfilm (3), der so gebildet ist, daß er den Elementbildungsbereich bedeckt und sich über den Stufenbereich (15) auf der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) erstreckt; sowie Gateelektroden (4a, 6, 7), die auf dem Isolierfilm (3) gebildet sind. Die Dicke des Isolierfilms (3) auf dem Elementbildungsbereich ist nahezu gleich derjenigen des Isolierfilms (3) auf dem Stufenbereich (15).