Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von Schichten aus einer bei Aufdampftemperatur nicht bestaendigen, als Halbleiter-Grundstoff verwendbaren Stoechiometrisch genaubestimmten Mehrstoffverbindung,申请号DE1956S049004-传众专利搜索

发明名称	Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von Schichten aus einer bei Aufdampftemperatur nicht bestaendigen, als Halbleiter-Grundstoff verwendbaren Stoechiometrisch genaubestimmten Mehrstoffverbindung
摘要
申请公布号	DE1204494(B)	申请公布日期	1965.11.04
申请号	DE1956S049004	申请日期	1956.06.09
申请人	SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	BIERMANN DIPL.-PHYS. MARKUS
分类号	C23C14/06;C23C14/24	主分类号	C23C14/06
代理机构		代理人
主权项
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