| 发明名称 | 一种低温氧化清洁生产工艺 | ||
| 摘要 | 一种低温氧化清洁生产工艺，其氧化液配方为：CuSO<SUB>4</SUB>2.0－5.0g/l、H<SUB>2</SUB>SeO<SUB>3</SUB>4.0－7.0g/l、Zn(H<SUB>2</SUB>PO<SUB>4</SUB>)2.5－3.5g/l、络合剂3.0－4.5g/l、NiCl<SUB>2</SUB>0.4－0.6g/l；其工艺流程是：除油—冷水洗→酸洗—冷水洗→低温氧化—冷水洗—干燥—脱水浸油→检验。本发明低温下操作生产，与碱性高温氧化工艺相比做到了节能、降低成本、发黑和减少环境污染；氧化液稳定，易于维护管理；氧化速度快，时间不大于10分钟。 | ||
| 申请公布号 | CN1390980A | 申请公布日期 | 2003.01.15 |
| 申请号 | CN02115891.6 | 申请日期 | 2002.05.24 |
| 申请人 | 南昌航空工业学院 | 发明人 | 魏立安;杨晓燕;魏洽;刘炳根;曹慧兰 |
| 分类号 | C23C22/50 | 主分类号 | C23C22/50 |
| 代理机构 | 南昌洪达专利事务所 | 代理人 | 刘凌峰 |
| 主权项 | 1、一种低温氧化清洁生产工艺，氧化剂的配方为：CuSO4 2.0-5.0g/l、H2SeO34.0-7.0g/l、Zn(H2PO4)2 2.5-3.5g/l、络合剂3.0-4.5g/l、NiCl2 0.4-0.6g/l；氧化的工艺条件是：PH2.5-3.0，氧化时间3-7分钟。 | ||
| 地址 | 330034江西省南昌市上海路173号 | ||