| 发明名称 | 防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造 | ||
| 摘要 | 一种防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造，包含提供一半导体基底，其表面上设有至少一内连导线；于基底和内连导线的表面上形成应力缓冲层：于应力缓冲层表面上形成蚀刻阻挡层；于蚀刻阻挡层表面上形成介电层；对介电层进行平坦化处理；进行介层窗蚀刻制程，于内连导线上方形成一介层窗。切实地减少由于微影蚀刻程序对不准而造成的漏电流的缺陷，更固定了金属导电层不发生崩塌，提高产品的可靠度和优良率，并可进一步达成积体电路缩小化的目标。 | ||
| 申请公布号 | CN1391269A | 申请公布日期 | 2003.01.15 |
| 申请号 | CN01118679.8 | 申请日期 | 2001.06.07 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 徐震球;钟振辉;林义雄 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：至少包含下列步骤：(1)提供一半导体基底，其表面上设有至少一内连导线；(2)于该基底和内连导线的表面上形成应力缓冲层：(3)于该应力缓冲层表面上形成蚀刻阻挡层；(4)于该蚀刻阻挡层表面上形成介电层；(5)对该介电层进行平坦化处理；(6)进行介层窗蚀刻制程，于该内连导线上方形成一介层窗。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区 | ||