一种去除硅化物形成过程中多余金属的方法

摘要

在先进的集成电路制造工艺中，通常使用硅化物工艺降低晶体管的源漏区域和多晶硅电极的电阻。硅化物形成过程中产生多余金属。本发明采用加入臭氧的化学溶剂去除残留金属，既可以向APM/SPM中通入一定量的臭氧，也可以用臭氧替代APM/SPM中的双氧水。使用加入臭氧的新型溶剂大大降低了工艺成本，提高了工艺性能。

主权项

1、一种去除在硅化物形成过程中多余金属的方法，其特征在于在两步形成硅化物的工艺中，在第一步快速热退火后，采用在APM和SPM溶液中溶入臭氧或者用臭氧替代APM和SPM溶剂中双氧水的方法将场氧化层上以及栅极边墙侧壁上的残余金属去除，然后通过第二步高温快速热退火形成低电阻的硅化物。