实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法

摘要

本发明的实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法是采用磁控溅射法，先将衬底表面清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少10^－3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为200～600℃，以高纯氨气NH₃和高纯氧气O₂为溅射气体，该二种气体分别由流量计控制输入装置的缓冲室，在缓冲室充分混合后引入真空反应室，在1～10Pa压强下，以高纯Zn为靶材，进行溅射生长，其中氨气与氧气的分压比根据掺杂浓度调节。根据NH₃与O₂不同的分压比可以制备不同掺杂浓度p型ZnO晶体薄膜，生长的时间由所需的厚度决定。

主权项

1.实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是采用磁控溅射法，先将衬底表面清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少10-3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为200～600℃，以高纯氨气和高纯氧气为溅射气体，该二种气体分别由流量计控制输入装置的缓冲室，在缓冲室充分混合后引入真空反应室，在1～10Pa压强下，以高纯Zn为靶材，进行溅射生长，其中氨气与氧气的分压比根据掺杂浓度调节。