发明名称 Thin gallium-arsenide-antimonide base heterojunction bipolar transistor (HBT) having improved gain
摘要
申请公布号 EP1237199(A3) 申请公布日期 2003.01.15
申请号 EP20010124695 申请日期 2001.10.16
申请人 AGILENT TECHNOLOGIES, INC. (A DELAWARE CORPORATION) 发明人 MOLL, NICOLAS J.;BOLOGNESI, COLOMBO R.
分类号 H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/737;(IPC1-7):H01L29/737 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
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