| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有大容量非易失性存储体的半导体存储装置，以使大容量的非易失性存储体的存取时间及随机存取存储体的存取时间相匹配。本发明的半导体存储装置包含：非易失性存储体，其具有第1读取时间；随机存取存储体，其具有第2读取时间，其读取时间较前述第1读取时间至少少100倍以上；电路，与前述非易失性存储体及前述随机存取存储体结合，并包含一控制电路，用于控制对前述随机存取存储体及前述非易失性存储体的存取；及多个输入输出端子，与前述电路结合。本发明通过将FLASH的数据传送给DRAM对DRAM存取，以使存取时间匹配，并适时从DRAM将数据写回FLASH，以使数据匹配及保存。 | ||
| 申请公布号 | CN1391166A | 申请公布日期 | 2003.01.15 |
| 申请号 | CN02122786.1 | 申请日期 | 2002.06.11 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 三浦誓士;鲇川一重 |
| 分类号 | G06F12/06 | 主分类号 | G06F12/06 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，其包含：非易失性存储体，其具有第1读取时间；随机存取存储体，其具有第2读取时间，其读取时间较前述第1读取时间至少少100倍以上；电路，其与前述非易失性存储体及前述随机存取存储体结合，并包含一控制电路，用于控制对前述随机存取存储体及前述非易失性存储体的存取；及多个输入输出端子，与前述电路结合。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||