发明名称 |
功率放大器内核 |
摘要 |
一个功率放大器内核(40),用于放大一个RF信号。这个功率放大器内核(40)包括用于放大RF信号的一第一FET单元串(46)。这个FET单元串包括与放大器内核的一个输出端口(48)串联的至少两个FET单元(46)。一个偏置网络(44),被连接在一个放大器内核输入端口(42)和FET单元(46)之间,用于将RF信号耦合到FET单元(46)。这个偏置网络(44)包括一个偏置电容(50)和一个电阻网络。这个偏置电容(50)被连接到输入端口(42),以将RF信号AC耦合到FET单元串中的一个相关FET单元(46)。这个电阻网络被从偏置电容(50)耦合到相关的FET单元(46),以向该相关的FET单元(46)提供一个DC偏置。 |
申请公布号 |
CN1391724A |
申请公布日期 |
2003.01.15 |
申请号 |
CN00816038.4 |
申请日期 |
2000.10.17 |
申请人 |
摩托罗拉公司 |
发明人 |
沃伦·L·希利;罗纳德·F·基耶尔梅尔;迈克·L·弗拉瑟 |
分类号 |
H03F3/42;H03F3/60;H03F1/02 |
主分类号 |
H03F3/42 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1、一个功率放大器内核,具有一个输入端口和一个输出端口,用于放大一个RF信号,包括:一第一FET单元串,用于放大RF信号,包括与输出端口串联的至少两个FET单元;和一个偏置网络,被连接在输入端口和该至少两个FET单元之间,用于将RF信号耦合到该至少两个FET单元,其中该偏置网络向该至少两个FET单元提供了一个DC偏置,并且将RF信号AC耦合到该至少两个FET单元,只要DC偏置是这样的以致第一FET单元串放大该RF信号。 |
地址 |
美国伊利诺斯 |